درابتدا هدف شبیه سازی یک تقویت کننده سه طبقه و بدست آوردن پاسخ فرکانسی و حالت گذرای مدار، بهره ولتاژ مدار، حداکثر سوئینگ ولتاژ خروجی و نیز فرکانس قطع و حاشیه فاز مدار می باشد. اولین قدم برای شبیه سازی تهیه نت لیست مدار می باشد که درفایل وورد گزارش هر یک با نمودار های آن آورده شده است

همه شبیه سازی های و مراحل طراحی ذکر شده است .

 

 

در قسمت بعدی  هدف شبیه سازی یک تقویت کننده توان کلاس AB و بدست آوردن پاسخ حالت گذرای مدار، توان مصرفی مدار و حداکثر جریان اتصال کوتاه آن می باشد. اولین قدم برای شبیه سازی تهیه نت لیست مدار می باشد.که پاسخ هر قسمت و نمودار های مربوطه در پیوست آورده شده است .

 

:: برچسب‌ها: تقویت کننده , سیگنال , برق , الکترونیک , الکترونیک , طراحی تقویت کننده , طراحی , ترانزیستور , دانشجو , کلاس , ab , شبیه سازی یک تقویت کننده سه طبقه و همچنین یک تق , تقویت کننده , سیگنال , برق , الکترونیک , طراحی تقویت کننده , ترانزیستور , کلاس ab , شبیه سازی , شبیه سازی یک تقویت کننده , پروژه برق , پروژه مهندسی برق , پروژه کامل , پروژه ,
:: بازدید از این مطلب : 68

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0

عنوان مقاله: آشنایی با ترانزیستور
قالب فایل: WORD
تعداد صفحات: 7 صفحه

فهرست مطالب:
● کاربرد
● عملکرد
● انواع
ترانزیستور دوقطبی پیوندی
ترانزیستور اثر میدانی (JFET)
ترانزیستور اثر میدانی (MOSFET)
● انواع ترانزیستور پیوندی
pnp
npn
● ساختمان ترانزیستور پیوندی
● طرز کار ترانزیستور پیوندی
● نحوه اتصال ترازیستورها
اتصال بیس مشترک
اتصال امیتر مشترک
اتصال کلکتور مشترک


* بخشی از ابتدای مقاله:

کاربرد

ترانزیستور هم در مدارات الکترونیک آنالوگ و هم در مدارات الکترونیک دیجیتال کاربردهای بسیار وسیعی دارد. در آنالوگ می‌توان از آن به عنوان تقویت کننده یا تنظیم کننده ولتاژ (رگولاتور) و ... استفاده کرد. کاربرد ترانزیستور در الکترونیک دیجیتال شامل مواردی مانند پیاده سازی مدار منطقی، حافظه، سوئیچ کردن و ... می‌شود.به جرات می توان گفت که ترانزیستور قلب تپنده الکترونیک است.

عملکرد

ترانزیستور از دیدگاه مداری یک عنصر سه‌پایه می‌‌باشد که با اعمال یک سیگنال به یکی از پایه‌های آن میزان جریان عبور کننده از دو پایه دیگر آن را می‌توان تنظیم کرد. برای عملکرد صحیح ترانزیستور در مدار باید توسط المان‌های دیگر مانند مقاومت‌ها و ... جریان‌ها و ولتاژهای لازم را برای آن فراهم کرد و یا اصطلاحاً آن را بایاس کرد.

انواع

دو دسته مهم از ترانزیستورها BJT (ترانزیستور دوقطبی پیوندی) (Bypolar Junction Transistors) و FET (ترانزیستور اثر میدانی) (Field Effect Transistors) هستند. FET ‌ها نیز خود به دو دستهٔ Jfet‌ها (Junction Field Effect Transistors) و MOSFET‌ها (Metal Oxide SemiConductor Field Effect Transistor) تقسیم می‌شوند.

ترانزیستور دوقطبی پیوندی

در ترانزیستور دو قطبی پیوندی با اعمال یک جریان به پایه بیس جریان عبوری از دو پایه کلکتور و امیتر کنترل می‌شود. ترانزیستورهای دوقطبی پیوندی در دونوع npn و pnp ساخته می‌شوند. بسته به حالت بایاس این ترانزیستورها ممکن است در ناحیه قطع، فعال و یا اشباع کار کنند. سرعت بالای این ترانزیستورها و بعضی قابلت‌های دیگر باعث شده که هنوز هم از آنها در بعضی مدارات خاص استفاده شود.

ترانزیستور اثر میدانی(JFET)

در ترانزیستور اثر میدانی با اعمال یک ولتاژ به پایه گیت میزان جریان عبوری از دو پایه سورس و درین کنترل می‌شود. ترانزیستور اثر میدانی بر دو قسم است: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type. از دیدگاهی دیگر این ترانزیستورها در دو نوع افزایشی و تخلیه‌ای ساخته می‌شوند.نواحی کار این ترانزستورها شامل "فعال" و "اشباع" و "ترایود" است این ترانزیستورها تقریباً هیچ استفاده‌ای ندارند چون جریان دهی آنها محدود است و به سختی مجتمع می‌شوند.

ترانزیستور اثر میدانی(MOSFET)

این ترانزیستورها نیز مانند Jfet‌ها عمل می‌کنند با این تفاوت که جریان ورودی گیت آنها صفر است. همچنین رابطه جریان با ولتاژ نیز متفاوت است. این ترانزیستورها دارای دو نوع PMOS و NMOS هستند که تکنولوژی استفاده از دو نوع آن در یک مدار تکنولوژی CMOS نام دارد. این ترانزیستورها امروزه بسیار کاربرد دارند زیرا براحتی مجتمع می‌شوند و فضای کمتری اشغال می‌کنند. همچنین مصرف توان بسیار ناچیزی دارند.

به تکنولوژی‌هایی که از دو نوع ترانزیستورهای دوقطبی و Mosfet در آن واحد استفاده می‌کنند Bicmos می‌گویند

البته نقطه کار این ترنزیستورها نسبت به دما حساس است وتغییر می‌کند.بنابراین بیشتر در سوئیچینگ بکار می‌‌روند...

:: برچسب‌ها: ترانزیستور , ترانزیستور اثر میدانی , ترانزیستور دوقطبی پیوندی , npn , pnp , JFET , MOSFET ,
:: بازدید از این مطلب : 58

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0

فناوری نانو یا نانو تکنولوژی رشته‌ای از دانش کاربردی و فناوری است که شاخه های گسترده‌ای را پوشش می‌دهد. موضوع اصلی آن نیز مهار ماده یا دستگاه‌های در ابعاد کمتر از یک میکرومتر، معمولاً حدود ۱ تا ۱۰۰ نانو متر است. در واقع نانو تکنولوژی فهم و به کارگیری خواص جدیدی از مواد و سیستمهایی در این ابعاد است که اثرات فیزیکی جدیدی عمدتا متاثر از غلبه خواص کوانتومی بر خواص کلاسیک از خود نشان می‌دهند. نانوفناوری یک دانش به شدت میان‌رشته‌ای است و به رشته‌هایی چون پزشکی، دامپزشکی، زیست شناسی، فیزیک کاربردی، مهندسی مواد، ابزارهای نیم رسانا، شیمی ابرمولکول و حتی مهندسی مکانیک، مهندسی برق و مهندسی شیمی نیز مربوط می‌شود. نانو تکنولوژی می‌تواند به عنوان ادامهٔ دانش کنونی به ابعاد نانو یا طرح‌ریزی دانش کنونی بر پایه‌هایی جدیدتر و امروزی‌تر باشد. می‌توان موردهای زیر را شاخه‌های بنیادین دانش نانوفناوری دانست: نانو روکش ها‌نانو موادنانو پودرهانانو لوله ها (نانو تیوب‌ها)نانو کامپوزیت‌هامهندسی مولکولیموتورهای مولکولی(نانو ماشین‌ها)نانو الکترونیکنانو سیم‌هاDNA نانوسیم هانانو حسگرهانانو ترانزیستورها با وجود کامل بودن جزوه اول، این جزوه تکمیل کننده جزوه اول است. 

:: برچسب‌ها: نانو , جزوه درس نانو , نانو الکترونیک , نانو لوله ها , نانو تیوب‌ها , نانو سیم‌ها , DNA , نانو حسگرها , نانو ترانزیستورها , ترانزیستور , حسگر , مهندسی مولکولی , مهندسی برق , مهندسی شیمی ,
:: بازدید از این مطلب : 56

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0

عنوان مقاله: آشنایی با ساختمان و عملكرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور
قالب فایل: WORD
تعداد صفحات: 36 صفحه

فهرست مطالب:

مقدمه

1) نيمه هادي نوع N و P   

2) اتصال PN و تشكيل نيمه هادي ديود

3ـ1) لايه تهي

3ـ2) پتانسيل سد

3ـ3) ولتاژ شكست

3ـ4) منحني ديود در باياس مستقيم

3ـ6) ديود ايده آل

3ـ7) ظرفيت ديود

3ـ8) ديود با ظرفيت متغيير(وراكتور)

3ـ9) ديود زنر

3ـ9ـ1) شكست بهمني و شكست زنر

3ـ10) خاصيت خازني پيوند و ديودهاي وراكتور

3-10-1) مدارهاي ديودي

3-11) عيب يابي

4) ساختمان نيمه هادي ترانزيستور

4ـ1) ترانزيستور بدون باياس

4ـ2) باياس  FF و RR

4ـ3) باياس FR

4ـ4) مقاومت اهمي ‌بيس

4ـ5) ولتاژهاي شكسته

4ـ6) بيس مشترك

4ـ7) اميتر مشترك

4ـ8) كلكتور مشترك

4ـ9) عيب يابي

4-9-1) عيوب متداول

4-9-2) تعميركار چگونه بايد فكر كند؟

فهرست منابع

:: برچسب‌ها: دیود , ترانزیستور , نیمه هادی , نيمه هادي ترانزيستور , نيمه هادي ديود , بایاس , بیس , امیتر , کلکتور , شكست بهمني , شكست زنر , ولتاژ شكست , ديود ايده آل ,
:: بازدید از این مطلب : 37

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0

جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتریچکیده در این مقاله، جمع کننده کامل (FA) نوینی ارائه می‌گردد که برای عملکرد با توانهای بسیار پایین بهینه سازی شده است. مدار مذکور، بر پایه گیتهای XOR اصلاح شده‌ای طراحی گشته که با هدف کمینه سازی مصرف توان در ناحیه زیرآستانه‌ای عمل می کنند. نتایج شبیه سازی شده با مدلهای استاندارد CMOS 65 نانومتر انجام شده است. نتایج شبیه سازی، یک بهبود 5 تا 20 درصدی را در بازه فرکانسی 1Khz تا 20MHz و ولتاژهای تغذیه زیر 0.3V نشان میدهد. مقدمه تغییر مقیاس ولتاژ تغذیه  یکی از موثرترین راهها در کاهش مصرف توان مدارهای دیجیتال است. کارایی این روش بعلت وجود رابطه درجه دوم میان مصرف توان دینامیک و ولتاژ تغذیه می باشد. اما در این روش، عملکرد مدار به خاطر رابطه معکوس تاخیر مدار با سطح جریان کاهش می یابد. به همین علت، ولتاژ آستانه را در فرایندهای زیرمیکرونی عمیق برای رفع این مشکل کاهش می دهند. کاهش ولتاژ آستانه، منجر به افزایش نمایی جریان زیرآستانه  می‌گردد که امکان استفاده از این ناحیه (زیرآستانه) را در مدارهای منطقی ارزیابی   - با کران نویز قابل قبول - می دهد. بدون اعمال روشهای خاص، عملکرد زیرآستانه ای سبب کاهش سرعت پاسخگویی (به سبب کاهش جریان) می شود. جریان مورد ارزیابی در این حالت، جریانی است که در ولتاژ گیت –سورس کوچکتر یا مساوی ولتاژ آستانه و ولتاژ تغذیه نزدیک به ولتاژ آستانه رخ می دهد. همانطور که در شکل 1 مشاهده می شود، نسبت I_on (وقتی ترانزیستور در حال ارزیابی است) به I_off (وقتی ولتاژ گیت-سورس صفر یا نزدیک صفر است) در مقایسه با Ion/Ioff در ولتاژهای تغذیه‌ی بالا، کوچکتر است. با این حال، در کاربردهای با مصرف توان بسیار پایین (مثل ایمپلنتها یا حسگرهای بدون سیم)، سرعت کاری دغدغه اصلی طراحی نیست، زیرا قیود پهنای باندی در این موارد با مسامحه اعمال می گردد. برای این کاربردها، مهمترین هدف طراحی بهینه سازی بمنظور مصرف توان پایین است. جمع دو بیت A و B با بیت نقلی Cin، بیت SUM (مجموع)  و بیت خروجی نقلی Cout را تولید می‌کند. 

:: برچسب‌ها: نانومتر , جمع کننده , جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری , Bit Sub Threshold Full Adders in 65nm CMOS Technology , ترانزیستور , گیت , ایمپلنت , مقاله برق , مقاله انگلیسی برق , مقاله انگلیسی برق با ترجمه , مقاله انگلیسی برق و الکترونیک , مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی ,
:: بازدید از این مطلب : 44

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0

عنوان: گزارش کار آزمایشگاه الکترونیک 1 (رسم منحنی ‌های مشخه ترانزيستور)
قالب فایل: WORD
تعداد صفحات: 4 صفحه

فهرست مطالب:

● ترانزيستور

● منحني مشخصه‌ ترانزيستور

● نحوة چك كردن ترانزيستور و سالم بودن آن

● روش آزمايش

:: برچسب‌ها: ترانزیستور , گزارش کار , آزمایشگاه الکترونیک 1 , منحني مشخصه‌ ترانزيستور , چك كردن ترانزيستور , رسم منحنی مشخصه ,
:: بازدید از این مطلب : 57

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0

عنوان: گزارش کار آزمایشگاه الکترونیک 1 (آشنایی با قطعات الکترونیکی)
قالب فایل: WORD
تعداد صفحات: 6 صفحه

فهرست مطالب:
● مقاومت
● خازن
1- خازن الكتروليتي
2- خازن غيرالكتروليتي
● ديود
1- LED  
2- ديود زنر
3- ديود معمولي
● ترانزيستورها
● صفحات برد بورد
● منبع تغذيه
1- منبع تغذيه DC
2- منبع تغذيه AC
● مولتي‌متر (آوومتر) : (اهم‌متر، ولتمتر، آمپرمتر)

:: برچسب‌ها: قطعات الکترونیکی , گزارش کار , آزمایشگاه الکترونیک 1 , مقاومت , خازن , دیود , ترانزیستور , منبع تغذیه , صفحات بردبورد , مولتی متر ,
:: بازدید از این مطلب : 95

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0

عنوان مقاله: آشنایی با ترانزیستور
قالب فایل: WORD
تعداد صفحات: 10 صفحه

فهرست مطالب:
● معرفی ترانزیستور
● ترانزیستور چگونه کار می کند
● انواع ترانزیستور


* بخشی از ابتدای مقاله:
معرفی ترانزیستور:
علم الکترونیک با اختراع ترانزیستور وارد فاز جدیدی از تحقیق و اختراع شد .هر روز اخباری را مبنی بر اختراعات جدید در زمینه الکترونیک می شنویم که مطمئنا در کالبد شکافی این اختراعات به نقش پر اهمیت ترانزیستور پی خواهیم برد. ترانزیستور یک قطعه سه پایه است که ساختار فیزیکی آن بر اساس عملکرد نیمه هادی ها می باشد.ترانزیستور را از دو نوع نیمه هادی با نام سلسیوم و ژرمانیوم می سازند.عموما در یک تقسیم بندی ترانزیستور ها را به دو دسته ترانزیستور های BJT و FET  تقسیم می کنند . ترانزیستور های BJT با نام ترانزیستور های پیوند دو قطبی و ترانزیستور های FET با نام ترانزیستور های اثر میدان شناخته شده­اند.FETها دارای سرعت سوئیچینگ کمتر از BJT  هستند .
معمولا ترانزیستور را با دو دیود مدل سازی می کنند از این مدل برای تشخیص سالم بودن ترانزیستور استفاده می کنند.عملکرد ترانزیستور هابه عنوان یک طبقه در مدار بستگی به نظر طراح دارد اما در صورتی که ترانزیستور را یک جعبه سیاه در نظر بگیریم که دارای دو ورودی و دو خروجی است با توجه به اینکه ترانزیستور دارای سه پایه است باید یکی از پایه ها را به عنوان پایه مشترک بین ورودی و خروجی در نظر بگیریم. این پایه مشترک اساس آرایش های مختلف ترانزیستور است .یکی از پایه های ترانزیستور با نام Base و پایه دیگر با نام امیتر (تزریق کننده) و پایه آخر با نام کالکتور (جمع کننده) شناخته شده است . بسته به اینکه کدامیک از پایه های مذکور به عنوان پایه مشترک در نظر گرفته شود آرایش های بیس مشترک Common Base، Common Collector و Common Emitter ممکن خواهد بود.

:: برچسب‌ها: ترانزیستور , BJT , بیس مشترک , امیتر مشترک , کلکتور مشترک , FET , ترانزیستور های پیوند دو قطبی ,
:: بازدید از این مطلب : 84

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0

ترانزیستور دو قطبی با درگاه عایق‌شده یا IGBT (کوتاه شده عبارت انگلیسی Insulated gate bipolar transistor) جز نیمه هادی قدرت بوده و در درجه اول به عنوان یک سوئیچ الکترونیکی استفاده می شود که در دستگاه های جدید برای بازده بالا و سوئیچینگ سریع استفاده میشود. این سوئیچ برق در بسیاری از لوازم مدرن از جمله خودروهای برقی، قطار، یخچال ها، تردمیل، دستگاه های تهویه مطبوع و حتی سیستم های استریو و تقویت کننده هااستفاده میشود. همچنین در ساخت انواع اینورترها،ترانسهای جوش و UPS کاربرد دارد.
در فرکانسهای بالای کلیدزنی از یک ترانزیستور جهت کنترل سطح ولتاژ DC استفاده میشود. با بالا رفتن فرکانس ترانزیستور دیگر خطی عمل نمی‌کند و نویز مخابراتی شدیدی را با توان بالا تولید میکند.به همین سبب در فرکانس کلیدزنی بالا از المان کم مصرف power MOSFET استفاده میشود. اما با بالا رفتن قدرت،تلفات آن نیز زیاد میشود.المان جدیدی به بازار آمده است که تمامی مزایای 2قطعه فوق را دارد و دیگر معایب BJT و POWER MOSFET را ندارد.این قطعه جدید IGBT نام دارد.در طی سالهای اخیر بدلیل ارزانی و مزایای این قطعه از آن استفاده زیادی شده است.
IGBT (ترانزیستور دو قطبی با گیت عایق شده) یک نیمه هادی جدید و کاملاً صنعتی است که از ترکیب 2 نوع ترانزیستور BJT و MOSFET ساخته شده است.بطوریکه از دید ورودی شما یک MOSFET را میبینید و از نظر خروجی یک BJT. BJTها و MOSFETها دارای خصوصیاتی هستند که از نقطه نظرهایی یکدیگر را تکمیل میکنند.
فهرست مطالب:
مقدمهاساس IGBTمزایا و معایب IGBTمقایسه IGBT با MOSFET و BJTشباهت های IGBT با سایر افزاره هاTrade-offساختار IGBTPT و NPTمقایسه PT و NPTعملکرد IGBTمشخصه خروجیمشخصه انتقالینرم افزارهای شبیه سازی ادواتتوضیحاتی در خصوص Silvacoمقالات مطالعه شدهمنابع
همچنین کلیه فایل های مربوط به پروژه اعم از فایل اصلی پاورپوینت، رفرنس ها و مقالات و فایل اجرایی برنامه سیلواکو در پروژه قرار گرفته است.

:: برچسب‌ها: IGBT , ترانزیستور , ترانزیستور با درگاه عایق , ترانزیستور با گیت عایق , BJT , MOSFET , NPT , سیلواکو , silvaco ,
:: بازدید از این مطلب : 102

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0

تعیین مشخصه های اینورتر CMOS غیر-معمولی جدید، ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال و یک ترانزیستور  کنترل شده
    چکیده__در این مقاله، ما یک اینورتر CMOS غیر-معمولی ساخته شده از یک NMOSFET بدون اتصال (JL) و یک ترانزیستور  را با فرآیند ساده و چگالی بالای مدار مجتمع، ارایه می دهیم. در اینورتر CMOS غیر-معمولی، به ترتیب، NMOSFET JL به عنوان تحریک و ترانزیستور   به عنوان یک بار، عمل می کند. ما بنابر اطلاعات اندازه گیری شده ی ترانزیستور  ، خط بار اینورتر CMOS را ترسیم کرده و دریافتیم که ترانزیستور   می تواند در مدارات CMOS به منظور بهبود مسایل مربوط به CMOS های مرسوم امروزی، استفاده شود. به علاوه، کاهش سطح 46.1% نیز دست اور دیگر ما است.

:: برچسب‌ها: CMOS , NMOSFET , اینورتر , ترانزیستور کنترل شده , ترانزیستور , Characterization , Novel Non-traditional CMOS Inverter Composed , Junctionless NMOSFET , Gated N+ , N- , P Transistor , مقاله انگلیسی برق , مقاله انگلیسی برق با ترجمه , مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی , مقاله انگلیسی برق و الکترونیک ,
:: بازدید از این مطلب : 76

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0

عنوان مقاله: ترانزیستور اثر میدانی
قالب فایل: WORD
تعداد صفحات: 42 صفحه

فهرست مطالب:

● مقدمه
● بخش اول: JFET ها
ساختمان و مشخصه‌هاي JFETها
مقاومت كنترل ولتاژ
قطعات كانال p
نمادها
خلاصه

● بخش دوم: MOSFET ها
MOSFET نوع تهي
اساس ساختمان
كار قطعه و مشخصه‌هاي آن
MOSFET نوع تهي كانال p
نمادها، ورقه‌هاي مشخصه، و ساختمان بدنه
MOSFET نوع افزايشي
اساس ساختمان
اساس كار و مشخصه‌ها
MOSFET های نوع افزایشی کانال p


* برای دریافت مقدمه مقاله (با حجم بسیار کم) اینجا کلیک کنید.

:: برچسب‌ها: MOSFET نوع تهي , ترانزیستور , MOSFET نوع افزايشي , ترانزیستور اثر میدانی , MOSFET , JFET , كانال p ,
:: بازدید از این مطلب : 99

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0

عنوان مقاله: آشنایی با ترانزیستور و انواع آن
قالب فایل: WORD
تعداد صفحات: 7 صفحه

فهرست مطالب:

● کاربرد

● عملکرد

● انواع

ترانزیستور دوقطبی پیوندی

ترانزیستور اثر میدانی(JFET)

ترانزیستور اثر میدانی(MOSFET)

ترانزیستور دوقطبی پیوندی

● انواع ترانزیستور پیوندی

pnp

npn

● ساختمان ترانزیستور پیوندی

● طرز کار ترانزیستور پیوندی

● نحوه اتصال ترازیستورها

اتصال بیس مشترک

اتصال امیتر مشترک

اتصال کلکتور مشترک


* بخشی از ابتدای مقاله:

کاربرد:
ترانزیستور هم در مدارات الکترونیک آنالوگ و هم در مدارات الکترونیک دیجیتال کاربردهای بسیار وسیعی دارد. در آنالوگ می‌توان از آن به عنوان تقویت کننده یا تنظیم کننده ولتاژ (رگولاتور) و ... استفاده کرد. کاربرد ترانزیستور در الکترونیک دیجیتال شامل مواردی مانند پیاده سازی مدار منطقی، حافظه، سوئیچ کردن و ... می‌شود.به جرات می توان گفت که ترانزیستور قلب تپنده الکترونیک است.

عملکرد:
ترانزیستور از دیدگاه مداری یک عنصر سه‌پایه می‌‌باشد که با اعمال یک سیگنال به یکی از پایه‌های آن میزان جریان عبور کننده از دو پایه دیگر آن را می‌توان تنظیم کرد. برای عملکرد صحیح ترانزیستور در مدار باید توسط المان‌های دیگر مانند مقاومت‌ها و ... جریان‌ها و ولتاژهای لازم را برای آن فراهم کرد و یا اصطلاحاً آن را بایاس کرد.

:: برچسب‌ها: ترانزیستور , ترانزیستور پیوندی , ترانزیستور اثر میدانی , JFET , MOSFET , بیس مشترک , امیتر مشترک , کلکتور مشترک , pnp , npn ,
:: بازدید از این مطلب : 92

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0